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IPP026N10NF2SAKMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 184A, TO-220
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP026N10NF2SAKMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark36AJ3709
Gama de produtosStrongIRFET 2
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.040 |
| 10+ | $ 2.610 |
| 25+ | $ 2.520 |
| 50+ | $ 2.450 |
| 100+ | $ 2.370 |
| 250+ | $ 2.160 |
| 500+ | $ 1.960 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.04
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP026N10NF2SAKMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark36AJ3709
Gama de produtosStrongIRFET 2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id184A
Drain Source On State Resistance2300µohm
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
184A
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto