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IPN70R1K5CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPN70R1K5CEATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97Y1837RL
Segmento de fita97Y1837
Gama de produtosCoolMOS CE
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.130 | $ 1.13 |
| Total Preço | $ 1.13 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.130 |
| 50+ | $ 0.717 |
| 100+ | $ 0.515 |
| 250+ | $ 0.467 |
| 500+ | $ 0.418 |
| 1000+ | $ 0.387 |
| 2500+ | $ 0.373 |
| 5000+ | $ 0.359 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPN70R1K5CEATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97Y1837RL
Segmento de fita97Y1837
Gama de produtosCoolMOS CE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.35ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd5W
Power Dissipation5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
700V CoolMOS™ CE power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for adapter, charger and lighting.
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Halogen free mould compound
- Qualified for standard grade applications
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
On Resistance Rds(on)
1.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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