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IPN60R1K5PFD7SATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 3.6A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPN60R1K5PFD7SATMA1
Código Newark92AH8417
Gama de produtosCoolMOS PFD7 SJ
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.140 |
| 10+ | $ 0.739 |
| 25+ | $ 0.662 |
| 50+ | $ 0.586 |
| 100+ | $ 0.509 |
| 250+ | $ 0.460 |
| 500+ | $ 0.411 |
| 1000+ | $ 0.379 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.14
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPN60R1K5PFD7SATMA1
Código Newark92AH8417
Gama de produtosCoolMOS PFD7 SJ
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)1.23ohm
Drain Source On State Resistance1.23ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation6W
Power Dissipation Pd6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
1.23ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
1.23ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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