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IPL65R070C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 70 mohm, VSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPL65R070C7AUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9064RL
Segmento de fita13AC9064
Gama de produtosCoolMOS C7
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.730 | $ 7.73 |
| Total Preço | $ 7.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.730 |
| 50+ | $ 4.230 |
| 100+ | $ 3.890 |
| 250+ | $ 3.810 |
| 500+ | $ 3.730 |
| 1000+ | $ 3.660 |
| 2500+ | $ 3.580 |
| 5000+ | $ 3.500 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPL65R070C7AUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9064RL
Segmento de fita13AC9064
Gama de produtosCoolMOS C7
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.062ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation169W
Power Dissipation Pd169W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
650V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) *Eoss and RDS(on)*Qg
- Thin PAK SMD package with very low parasitic inductance to enable fast and reliable switching
- Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- System cost/size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
169W
No. of Pins
5Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
169W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto