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IPL60R185CFD7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPL60R185CFD7AUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC9325RL
Segmento de fita43AC9325
Gama de produtosCoolMOS CFD7
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.080 | $ 3.08 |
| Total Preço | $ 3.08 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.080 |
| 50+ | $ 1.630 |
| 100+ | $ 1.310 |
| 250+ | $ 1.270 |
| 500+ | $ 1.220 |
| 1000+ | $ 1.160 |
| 2500+ | $ 1.100 |
| 5000+ | $ 1.040 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPL60R185CFD7AUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43AC9325RL
Segmento de fita43AC9325
Gama de produtosCoolMOS CFD7
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id14A
On Resistance Rds(on)0.153ohm
Drain Source On State Resistance0.185ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation85W
Power Dissipation Pd85W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
600V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in soft switching topologies optimized for phase-shift full bridge (ZVS), LLC applications server, telecom, EV Charging.
- Ultra-fast body diode
- Low gate charge
- Best-in-class reverse recovery charge(Qrr)
- Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
- Excellent hard commutation ruggedness
- Highest reliability for resonant topologies
- Highest efficiency without standing ease-of-use/performance trade off
- Enabling increased power density solutions
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.153ohm
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
85W
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
0.185ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto