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|---|---|
| 1+ | $ 2.490 |
| 10+ | $ 1.790 |
| 100+ | $ 1.090 |
| 500+ | $ 0.868 |
| 1000+ | $ 0.798 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPI086N10N3GXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark34AC1700
Gama de produtosOptiMOS 3
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance7400µohm
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
7400µohm
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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