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IPG20N10S436AATMA1
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 20A, TDSON
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPG20N10S436AATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39AH8915RL
Segmento de fita39AH8915
Gama de produtosOptiMOS-T2 Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 20 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.080 | $ 2.08 |
| Total Preço | $ 2.08 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.080 |
| 50+ | $ 1.330 |
| 100+ | $ 0.897 |
| 250+ | $ 0.804 |
| 500+ | $ 0.711 |
| 1000+ | $ 0.623 |
| 2500+ | $ 0.613 |
| 5000+ | $ 0.582 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPG20N10S436AATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39AH8915RL
Segmento de fita39AH8915
Gama de produtosOptiMOS-T2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.036ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS-T2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.036ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto