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IPG20N06S4L26ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPG20N06S4L26ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5252
Rodo à Medida50Y2049RL
Segmento de fita50Y2049
Também conhecido porIPG20N06S4L-26, SP000705588
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.890 | $ 1.89 |
| Total Preço | $ 1.89 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.890 |
| 50+ | $ 1.100 |
| 100+ | $ 0.674 |
| 250+ | $ 0.617 |
| 500+ | $ 0.560 |
| 1000+ | $ 0.512 |
| 2500+ | $ 0.502 |
| 5000+ | $ 0.492 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.442 |
| 10000+ | $ 0.420 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPG20N06S4L26ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5252
Rodo à Medida50Y2049RL
Segmento de fita50Y2049
Também conhecido porIPG20N06S4L-26, SP000705588
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPG20N06S4L-26 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for direct fuel injection, ABS valves, solenoid control and load switch applications.
- Logic level
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Larger source lead-frame connection for wire bonding
- Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
- Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPG20N06S4L26ATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto