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IPF010N06NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 293A, TO-263
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPF010N06NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AK5323RL
Segmento de fita68AK5323
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.630 | $ 5.63 |
| Total Preço | $ 5.63 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.630 |
| 10+ | $ 3.750 |
| 25+ | $ 3.390 |
| 50+ | $ 3.040 |
| 100+ | $ 2.680 |
| 250+ | $ 2.450 |
| 500+ | $ 2.220 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPF010N06NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AK5323RL
Segmento de fita68AK5323
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id293A
Drain Source On State Resistance880µohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
293A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
880µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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