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IPD90R1K2C3ATMA2
MOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.770 | $ 2.77 |
| Total Preço | $ 2.77 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.770 |
| 10+ | $ 1.770 |
| 25+ | $ 1.580 |
| 50+ | $ 1.400 |
| 100+ | $ 1.200 |
| 250+ | $ 1.080 |
| 500+ | $ 0.957 |
| 1000+ | $ 0.878 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD90R1K2C3ATMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida38AJ3779RL
Segmento de fita38AJ3779
Gama de produtosCoolMOS
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id5.1A
On Resistance Rds(on)0.94ohm
Drain Source On State Resistance0.94ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
Power Dissipation Pd83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
On Resistance Rds(on)
0.94ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
Drain Source On State Resistance
0.94ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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