Imprimir página
IPD80R450P7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R450P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16AC3362RL
Segmento de fita16AC3362
Gama de produtosCoolMOS P7
Seu número de peça
809 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.720 | $ 2.72 |
| Total Preço | $ 2.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.720 |
| 50+ | $ 1.500 |
| 100+ | $ 1.380 |
| 250+ | $ 1.280 |
| 500+ | $ 1.180 |
| 1000+ | $ 1.160 |
| 2500+ | $ 1.130 |
| 5000+ | $ 1.110 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R450P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16AC3362RL
Segmento de fita16AC3362
Gama de produtosCoolMOS P7
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id11A
On Resistance Rds(on)0.38ohm
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation73W
Power Dissipation Pd73W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
800V CoolMOS™ P7 power transistor. Recommended for hard and softs switching flyback topologies for LED lighting, low power chargers and adapters, audio, AUX power and industrial power. Also suitable for PFC stage in consumer applications and solar.
- Best-in-class FOM RDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss
- Best-in-class DPAK RDS(on)
- Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
- Integrated Zener diode ESD protection
- Best-in-class CoolMOS™quality and reliability
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- Fully optimized portfolio
- Best-in-class performance, easy to drive and to parallel
- Enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs
- Better production yield by reducing ESD related failures
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.38ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
73W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto