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IPD80R280P7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R280P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5237
Rodo à Medida16AC3361RL
Segmento de fita16AC3361
Gama de produtosCoolMOS P7
Seu número de peça
2,751 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 4.410 | $ 22.05 |
| Total Preço | $ 22.05 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 4.410 |
| 10+ | $ 3.060 |
| 15+ | $ 2.880 |
| 25+ | $ 2.690 |
| 50+ | $ 2.510 |
| 125+ | $ 2.320 |
| 250+ | $ 2.170 |
| 500+ | $ 2.010 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.760 |
| 7500+ | $ 1.730 |
| 12500+ | $ 1.700 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R280P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5237
Rodo à Medida16AC3361RL
Segmento de fita16AC3361
Gama de produtosCoolMOS P7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17A
On Resistance Rds(on)0.24ohm
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation101W
Power Dissipation Pd101W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
800V CoolMOS™ P7 power transistor. Recommended for hard and soft switching flyback topologies for LED lighting, low power chargers and adapters, audio, AUX power and industrial power. Also suitable for PFC stage in consumer applications and solar.
- Best-in-class FOM RDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss
- Best-in-class DPAK RDS(on)
- Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
- Integrated Zener diode ESD protection
- Best-in-class CoolMOS™ quality and reliability
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Fully optimized portfolio
- Best-in-class performance, easy to drive and to parallel
- Better production yield by reducing ESD related failures
- Less production issues and reduced field returns
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.24ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
101W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
101W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto