Imprimir página
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 4A, TO-252
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R1K4P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16AC3360RL
Segmento de fita16AC3360
Gama de produtosCoolMOS P7
Seu número de peça
1,905 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.770 | $ 1.77 |
| Total Preço | $ 1.77 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.770 |
| 10+ | $ 1.110 |
| 25+ | $ 0.988 |
| 50+ | $ 0.863 |
| 100+ | $ 0.738 |
| 250+ | $ 0.657 |
| 500+ | $ 0.577 |
| 1000+ | $ 0.526 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R1K4P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16AC3360RL
Segmento de fita16AC3360
Gama de produtosCoolMOS P7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd32W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
32W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPD80R1K4P7ATMA1
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto