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IPD80R1K4CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R1K4CEATMA1
Código Newark13AC9051
Gama de produtosCoolMOS CE
Também conhecido porIPD80R1K4CE, SP001130972
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.980 |
| 10+ | $ 1.270 |
| 25+ | $ 1.120 |
| 50+ | $ 0.987 |
| 100+ | $ 0.847 |
| 250+ | $ 0.758 |
| 500+ | $ 0.670 |
| 1000+ | $ 0.612 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.98
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD80R1K4CEATMA1
Código Newark13AC9051
Gama de produtosCoolMOS CE
Também conhecido porIPD80R1K4CE, SP001130972
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance1.4ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd63W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
63W
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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