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IPD75N04S406ATMA1
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD75N04S406ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark12AC9714
Gama de produtosOptiMOS-T2
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.600 |
| 10+ | $ 1.010 |
| 25+ | $ 0.896 |
| 50+ | $ 0.783 |
| 100+ | $ 0.670 |
| 250+ | $ 0.596 |
| 500+ | $ 0.523 |
| 1000+ | $ 0.476 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.60
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD75N04S406ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark12AC9714
Gama de produtosOptiMOS-T2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance5000µohm
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd58W
Power Dissipation58W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5000µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
58W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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