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IPD65R650CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 10.1A, TO-252
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD65R650CEAUMA1
Código Newark34AC1687
Gama de produtosCoolMOS CE
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.610 |
| 10+ | $ 1.060 |
| 25+ | $ 0.956 |
| 50+ | $ 0.852 |
| 100+ | $ 0.747 |
| 250+ | $ 0.680 |
| 500+ | $ 0.612 |
| 1000+ | $ 0.568 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.61
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD65R650CEAUMA1
Código Newark34AC1687
Gama de produtosCoolMOS CE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id10.1A
Drain Source On State Resistance0.54ohm
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd86W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation86W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.54ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
86W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.1A
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
86W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos