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IPD60R1K0CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 6.8A, TO-252
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD60R1K0CEAUMA1
Código Newark34AC1675
Gama de produtosCoolMOS CE
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.080 |
| 10+ | $ 0.702 |
| 25+ | $ 0.629 |
| 50+ | $ 0.556 |
| 100+ | $ 0.483 |
| 250+ | $ 0.436 |
| 500+ | $ 0.388 |
| 1000+ | $ 0.358 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.08
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD60R1K0CEAUMA1
Código Newark34AC1675
Gama de produtosCoolMOS CE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6.8A
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Drain Source On State Resistance0.86ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd61W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation61W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Drain Source On State Resistance
0.86ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
61W
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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