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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD50N10S3L16ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rodo à Medida85X6031
Segmento de fita85X6031
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.160 | $ 3.16 |
| Total Preço | $ 3.16 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.160 |
| 10+ | $ 2.040 |
| 25+ | $ 1.830 |
| 50+ | $ 1.620 |
| 100+ | $ 1.400 |
| 250+ | $ 1.270 |
| 500+ | $ 1.130 |
| 1000+ | $ 1.050 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD50N10S3L16ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rodo à Medida85X6031
Segmento de fita85X6031
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
On Resistance Rds(on)0.0125ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd100W
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IPD50N10S3L16ATMA1
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The IPD50N10S3L-16 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
100W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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