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IPD380P06NMATMA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 35 A, 0.038 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.510 | $ 2.51 |
| Total Preço | $ 2.51 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.510 |
| 10+ | $ 1.440 |
| 25+ | $ 1.350 |
| 50+ | $ 1.260 |
| 100+ | $ 1.160 |
| 250+ | $ 1.030 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.765 |
| 5000+ | $ 0.740 |
| 10000+ | $ 0.715 |
| 15000+ | $ 0.713 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD380P06NMATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5210
Rodo à Medida42AH1835RL
Segmento de fita42AH1835
Gama de produtosOptiMOS
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Drain Source On State Resistance0.038ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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