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IPD122N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD122N10N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5201
Rodo à Medida85X6027
Segmento de fita85X6027
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.110 | $ 2.11 |
| Total Preço | $ 2.11 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.110 |
| 10+ | $ 1.190 |
| 25+ | $ 1.110 |
| 50+ | $ 1.040 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.591 |
| 5000+ | $ 0.581 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD122N10N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5201
Rodo à Medida85X6027
Segmento de fita85X6027
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.0122ohm
On Resistance Rds(on)0.0105ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation94W
Power Dissipation Pd94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS®3 power transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Qualified according to JEDEC for target application
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0122ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
On Resistance Rds(on)
0.0105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto