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IPD048N06L3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD048N06L3GBTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida50Y2020
Segmento de fita50Y2020
Também conhecido porSP000453334
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.340 | $ 1.34 |
| Total Preço | $ 1.34 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.340 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD048N06L3GBTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida50Y2020
Segmento de fita50Y2020
Também conhecido porSP000453334
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd115W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para IPD048N06L3GBTMA1
5 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The IPD048N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
115W
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto