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IPD025N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD025N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5187
Rodo à Medida50Y2018RL
Segmento de fita50Y2018
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 3.110 | $ 15.55 |
| Total Preço | $ 15.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 3.110 |
| 10+ | $ 2.020 |
| 25+ | $ 1.800 |
| 50+ | $ 1.600 |
| 100+ | $ 1.390 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.960 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD025N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5187
Rodo à Medida50Y2018RL
Segmento de fita50Y2018
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0021ohm
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation167W
Power Dissipation Pd167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 60V OptiMOS™ power transistor
- Optimized for synchronous rectification
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- N-channel, normal level
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0021ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IPD025N06NATMA1
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto