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IPB65R190CFDATMA2
MOSFET, N-CH, 650V, 17.5A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB65R190CFDATMA2
Código Newark03AJ1835
Gama de produtosCoolMOS CFD2
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.310 |
| 10+ | $ 3.000 |
| 25+ | $ 2.750 |
| 50+ | $ 2.500 |
| 100+ | $ 2.250 |
| 250+ | $ 2.120 |
| 500+ | $ 1.980 |
| 1000+ | $ 1.880 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.31
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB65R190CFDATMA2
Código Newark03AJ1835
Gama de produtosCoolMOS CFD2
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id17.5A
On Resistance Rds(on)0.171ohm
Drain Source On State Resistance0.171ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation151W
Power Dissipation Pd151W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.171ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
151W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.5A
Drain Source On State Resistance
0.171ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
151W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos