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IPB64N25S320ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.600 | $ 7.60 |
| Total Preço | $ 7.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.600 |
| 50+ | $ 5.760 |
| 100+ | $ 4.390 |
| 250+ | $ 4.040 |
| 500+ | $ 3.690 |
| 1000+ | $ 3.420 |
| 2500+ | $ 3.350 |
| 5000+ | $ 3.280 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 3.210 |
| 3000+ | $ 3.190 |
| 5000+ | $ 3.130 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB64N25S320ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5181
Rodo à Medida13AC9030RL
Segmento de fita13AC9030
Gama de produtosOptiMOS T
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IPB64N25S320ATMA1 is a OptiMOS®-T power-transistor. Potential application includes hybrid inverter, DC/DC, piezo injection.
- N-channel - enhancement mode, AEC qualified, robust packages with superior quality and reliability
- 100% Avalanche tested, optimized total gate charge enables smaller driver output stages
- Drain-source breakdown voltage is 250V min (VGS=0V, ID= 1mA, Tj = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 20mohm max (VGS=10V, ID=64A, Tj = 25°C)
- Continuous drain current is 64A max (TC=25°C, VGS = 10V), power dissipation is 300W
- Gate threshold voltage range from 2.0 to 4.0V (VDS=V GS, ID=270µA, Tj = 25°C)
- Low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
- Rise time is 20ns typ (VDD=100V, VGS=10V, ID=25A, RG=1.6ohm, Tj = 25°C)
- Fall time is 12ns typ (VDD=100V, VGS=10V, ID=25A, RG=1.6ohm, Tj = 25°C)
- PG-TO263-3-2 package, operating temperature range from -55 to +175°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para IPB64N25S320ATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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