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|---|---|
| 1+ | $ 4.030 |
| 10+ | $ 2.650 |
| 25+ | $ 2.420 |
| 50+ | $ 2.200 |
| 100+ | $ 1.970 |
| 250+ | $ 1.850 |
| 500+ | $ 1.720 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB60R190C6ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark30T1830
Gama de produtosCoolMOS
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd151W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation151W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
2Pins
Product Range
CoolMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
151W
Power Dissipation
151W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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