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IPB60R120P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 26A, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB60R120P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark49AC7996
Gama de produtosCoolMOS P7
Seu número de peça
453 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.260 |
| 10+ | $ 2.790 |
| 25+ | $ 2.510 |
| 50+ | $ 2.240 |
| 100+ | $ 1.960 |
| 250+ | $ 1.790 |
| 500+ | $ 1.630 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.26
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB60R120P7ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark49AC7996
Gama de produtosCoolMOS P7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd95W
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation95W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
95W
Power Dissipation
95W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto