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IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET, AECQ101, P-CH, -40V, -120A, 136W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB120P04P4L03ATMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AH5898RL
Segmento de fita51AH5898
Gama de produtosOptiMOS-P2
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 11 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.040 | $ 4.04 |
| Total Preço | $ 4.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.040 |
| 10+ | $ 2.650 |
| 25+ | $ 2.380 |
| 50+ | $ 2.120 |
| 100+ | $ 1.850 |
| 250+ | $ 1.690 |
| 500+ | $ 1.520 |
| 1000+ | $ 1.420 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB120P04P4L03ATMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AH5898RL
Segmento de fita51AH5898
Gama de produtosOptiMOS-P2
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Drain Source On State Resistance2600µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd136W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
136W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto