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IPB110P06LMATMA1
MOSFET, P-CH, -60V, -100A, 175DEG C ROHS COMPLIANT: YES
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.360 | $ 5.36 |
| Total Preço | $ 5.36 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.360 |
| 10+ | $ 3.750 |
| 25+ | $ 3.450 |
| 50+ | $ 3.140 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.270 |
| 2000+ | $ 2.220 |
| 4000+ | $ 2.180 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB110P06LMATMA1
Código Newark
Rolo completo86AK5166
Rodo à Medida42AH1817
Segmento de fita42AH1817
Gama de produtosOptiMOS
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
300W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPB110P06LMATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos