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IPB108N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB108N15N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida85X6017
Segmento de fita85X6017
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.770 | $ 3.77 |
| Total Preço | $ 3.77 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.770 |
| 10+ | $ 2.460 |
| 25+ | $ 2.270 |
| 50+ | $ 2.080 |
| 100+ | $ 1.880 |
| 250+ | $ 1.810 |
| 500+ | $ 1.740 |
| 1000+ | $ 1.440 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB108N15N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida85X6017
Segmento de fita85X6017
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id83A
Drain Source On State Resistance0.0108ohm
On Resistance Rds(on)0.0091ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd214W
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS™ 3 power-transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- 175°C operating temperature
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0108ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
83A
On Resistance Rds(on)
0.0091ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para IPB108N15N3GATMA1
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto