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IPB073N15N5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 114 A, 0.0073 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.610 | $ 5.61 |
| Total Preço | $ 5.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.610 |
| 50+ | $ 2.930 |
| 100+ | $ 2.670 |
| 250+ | $ 2.540 |
| 500+ | $ 2.400 |
| 1000+ | $ 2.350 |
| 2500+ | $ 2.300 |
| 5000+ | $ 2.260 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.200 |
| 3000+ | $ 2.090 |
| 5000+ | $ 2.050 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB073N15N5ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5162
Rodo à Medida43AC3264RL
Segmento de fita43AC3264
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id114A
On Resistance Rds(on)0.0056ohm
Drain Source On State Resistance0.0073ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation Pd214W
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS™ 5 power-transistor
- Excellent gate charge xRDS(on) product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Very low reverse recovery charge (Qrr)
- 175°C operating temperature
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0056ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
114A
Drain Source On State Resistance
0.0073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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