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IPB042N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB042N10N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5156
Rodo à Medida47Y8047RL
Segmento de fita47Y8047
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.220 | $ 3.22 |
| Total Preço | $ 3.22 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.220 |
| 50+ | $ 2.000 |
| 100+ | $ 1.460 |
| 250+ | $ 1.330 |
| 500+ | $ 1.190 |
| 1000+ | $ 1.160 |
| 2500+ | $ 1.140 |
| 5000+ | $ 1.110 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.220 |
| 3000+ | $ 1.110 |
| 5000+ | $ 1.090 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB042N10N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5156
Rodo à Medida47Y8047RL
Segmento de fita47Y8047
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Drain Source On State Resistance0.0042ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd214W
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
100V Optima's™ 3 power-transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification.
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Excellent switching performance
- World’s lowest R DS(on)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
