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IPB039N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 160 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB039N10N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark47W3465
Também conhecido porIPB039N10N3 G, SP000482428
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.220 |
| 10+ | $ 2.510 |
| 25+ | $ 2.320 |
| 50+ | $ 2.120 |
| 100+ | $ 1.930 |
| 250+ | $ 1.790 |
| 500+ | $ 1.660 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.22
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB039N10N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark47W3465
Também conhecido porIPB039N10N3 G, SP000482428
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd214W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation214W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB039N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free, Green device
- MSL1 rated 2
Aplicações
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
214W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos