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IPB035N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.250 | $ 5.25 |
| Total Preço | $ 5.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.250 |
| 10+ | $ 3.500 |
| 25+ | $ 3.160 |
| 50+ | $ 2.830 |
| 100+ | $ 2.500 |
| 250+ | $ 2.290 |
| 500+ | $ 2.070 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB035N08N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida13AC9026RL
Segmento de fita13AC9026
Gama de produtosOptiMOS 3
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation Pd214W
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Optima's™ 3 power-transistor ideal for fast switching applications. Typical applications include synchronous rectification, solar micro inverter, isolated DC-DC converters, motor control for 12-48V systems, Or-ing switches.
- Optimized technology for DC-DC converters
- Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto