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IPB029N06NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB029N06NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark68AK5313
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.860 |
| 10+ | $ 1.840 |
| 25+ | $ 1.660 |
| 50+ | $ 1.460 |
| 100+ | $ 1.270 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.86
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB029N06NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark68AK5313
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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