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IPB027N10N5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 166 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.650 | $ 5.65 |
| Total Preço | $ 5.65 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.650 |
| 50+ | $ 2.960 |
| 100+ | $ 2.700 |
| 250+ | $ 2.570 |
| 500+ | $ 2.430 |
| 1000+ | $ 2.380 |
| 2500+ | $ 2.330 |
| 5000+ | $ 2.280 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.260 |
| 3000+ | $ 2.150 |
| 5000+ | $ 2.110 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB027N10N5ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5152
Rodo à Medida34AC1652RL
Segmento de fita34AC1652
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id166A
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
On Resistance Rds(on)0.0024ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
100V Optima's™ 5 power transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. Potential applications include telecom, server, solar, low voltage drives, light electric vehicles and adapter.
- Optimized for synchronous rectification
- Output capacitance reduction of up to 44%
- R DS(on) reduction of up to 43% from previous generation
- Highest system efficiency
- Reduced switching and conduction losses
- Less paralleling required
- Increased power density
- Low voltage overshoot
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
166A
On Resistance Rds(on)
0.0024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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