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IPB025N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB025N08N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark60R2648
Também conhecido porIPB025N08N3 G, SP000311980
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.260 |
| 10+ | $ 3.500 |
| 25+ | $ 3.170 |
| 50+ | $ 2.840 |
| 100+ | $ 2.510 |
| 250+ | $ 2.470 |
| 500+ | $ 2.430 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.26
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB025N08N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark60R2648
Também conhecido porIPB025N08N3 G, SP000311980
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.002ohm
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB025N08N3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control, LED Lighting, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300W
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.002ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para IPB025N08N3GATMA1
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
