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IPB020N10N5LFATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.140 | $ 7.14 |
| Total Preço | $ 7.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.140 |
| 10+ | $ 5.110 |
| 25+ | $ 4.730 |
| 50+ | $ 4.340 |
| 100+ | $ 3.960 |
| 250+ | $ 3.950 |
| 500+ | $ 3.940 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB020N10N5LFATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rodo à Medida93AC7098RL
Segmento de fita93AC7098
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.002ohm
On Resistance Rds(on)0.0018ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation Pd313W
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.002ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
313W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.0018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPB020N10N5LFATMA1
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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