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IPB017N06N3GATMA1
PWR MOSFET, N CHANNEL, 60V, 180A
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB017N06N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark60R2643
Também conhecido porIPB017N06N3 G, SP000434404
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.760 |
| 10+ | $ 2.390 |
| 25+ | $ 2.090 |
| 50+ | $ 1.970 |
| 100+ | $ 1.710 |
| 250+ | $ 1.430 |
| 500+ | $ 1.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.76
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB017N06N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark60R2643
Também conhecido porIPB017N06N3 G, SP000434404
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd250W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation250W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para IPB017N06N3GATMA1
3 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The IPB017N06N3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Aplicações
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
250W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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