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IPB016N08NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 80V, 170A, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB016N08NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida63AK1699RL
Segmento de fita63AK1699
Gama de produtosStronglRFET Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.500 | $ 5.50 |
| Total Preço | $ 5.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.500 |
| 10+ | $ 3.670 |
| 25+ | $ 3.320 |
| 50+ | $ 2.970 |
| 100+ | $ 2.620 |
| 250+ | $ 2.540 |
| 500+ | $ 2.460 |
| 1600+ | $ 2.270 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB016N08NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida63AK1699RL
Segmento de fita63AK1699
Gama de produtosStronglRFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance1300µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto