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IPB015N06NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 195A, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB015N06NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida69AK4399RL
Segmento de fita69AK4399
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.080 | $ 6.08 |
| Total Preço | $ 6.08 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.080 |
| 50+ | $ 3.410 |
| 100+ | $ 3.150 |
| 250+ | $ 3.090 |
| 500+ | $ 3.020 |
| 1000+ | $ 2.960 |
| 2500+ | $ 2.900 |
| 5000+ | $ 2.840 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB015N06NF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida69AK4399RL
Segmento de fita69AK4399
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance1200µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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