Imprimir página
IPB010N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB010N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5146
Rodo à Medida79X1431RL
Segmento de fita79X1431
Também conhecido porIPB010N06N, SP000917410
Seu número de peça
1,247 Em Estoque
2,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.620 | $ 6.62 |
| Total Preço | $ 6.62 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.620 |
| 10+ | $ 4.530 |
| 25+ | $ 4.110 |
| 50+ | $ 3.700 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.590 |
| 2000+ | $ 2.550 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB010N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5146
Rodo à Medida79X1431RL
Segmento de fita79X1431
Também conhecido porIPB010N06N, SP000917410
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance0.001ohm
On Resistance Rds(on)800µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB010N06N is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Aplicações
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.001ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
300W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
On Resistance Rds(on)
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para IPB010N06NATMA1
3 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
