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IPAN60R280PFD7SXKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-220FP
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPAN60R280PFD7SXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark91AH7670
Gama de produtosCoolMOS PFD7 SJ
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.300 |
| 10+ | $ 1.650 |
| 100+ | $ 0.995 |
| 500+ | $ 0.791 |
| 1000+ | $ 0.726 |
| 2500+ | $ 0.671 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.30
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPAN60R280PFD7SXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark91AH7670
Gama de produtosCoolMOS PFD7 SJ
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.233ohm
Drain Source On State Resistance0.233ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd24W
Power Dissipation24W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.233ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
24W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.233ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto