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IMW65R072M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW65R072M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark78AH7250
Gama de produtosCoolSiC M1
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 10.740 |
| 10+ | $ 7.130 |
| 25+ | $ 6.850 |
| 50+ | $ 6.560 |
| 100+ | $ 6.280 |
| 480+ | $ 6.120 |
| 720+ | $ 5.950 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 10.74
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW65R072M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark78AH7250
Gama de produtosCoolSiC M1
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.072ohm
On Resistance Rds(on)0.072ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation96W
Power Dissipation Pd96W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.072ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
96W
Product Range
CoolSiC M1
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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