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IMW120R060M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW120R060M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark29AH1032
Gama de produtosCoolSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 14.650 |
| 10+ | $ 9.700 |
| 25+ | $ 9.330 |
| 50+ | $ 8.960 |
| 100+ | $ 8.600 |
| 480+ | $ 8.600 |
| 720+ | $ 8.590 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW120R060M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark29AH1032
Gama de produtosCoolSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Product Range
CoolSiC Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IMW120R060M1HXKSA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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