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IMT65R010M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMT65R010M2HXUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM1120RL
Segmento de fita26AM1120
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 18.980 | $ 18.98 |
| Total Preço | $ 18.98 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 18.980 |
| 10+ | $ 13.810 |
| 25+ | $ 13.420 |
| 50+ | $ 13.030 |
| 100+ | $ 12.640 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMT65R010M2HXUMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM1120RL
Segmento de fita26AM1120
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance9100µohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation681W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
9100µohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
681W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto