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IMLT65R026M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 82 A, 650 V, 33 mohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMLT65R026M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida20AM0187RL
Segmento de fita20AM0187
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 11.710 | $ 11.71 |
| Total Preço | $ 11.71 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.710 |
| 10+ | $ 8.420 |
| 25+ | $ 7.810 |
| 50+ | $ 7.210 |
| 100+ | $ 6.600 |
| 250+ | $ 6.460 |
| 500+ | $ 6.300 |
| 1000+ | $ 6.160 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMLT65R026M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida20AM0187RL
Segmento de fita20AM0187
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id82A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance33mohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins16Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation365W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
82A
Drain Source On State Resistance
33mohm
No. of Pins
16Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
365W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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