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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Power Dissipation
=365W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 9.340 10+$ 6.420 25+$ 6.030 50+$ 5.650 100+$ 5.270 Mais preços... | Single | N Channel | 81A | 650V | 0.024ohm | HSOF | 8Pins | 20V | 5.6V | 365W | 175°C | CoolSiC Gen 2 Series | ||||||
20AM0187 RoHS | Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 11.710 10+$ 8.420 25+$ 7.810 50+$ 7.210 100+$ 6.600 Mais preços... | Single | N Channel | 82A | 650V | 33mohm | HDSOP | 16Pins | 18V | 5.6V | 365W | 175°C | CoolSiC G2 Series | |||||
