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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R163M1HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark26AK5712
Gama de produtosCoolSiC M1 Trench Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 52 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.680 |
| 10+ | $ 3.780 |
| 25+ | $ 3.420 |
| 50+ | $ 3.060 |
| 100+ | $ 2.700 |
| 250+ | $ 2.550 |
| 500+ | $ 2.410 |
| 1000+ | $ 2.250 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.68
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R163M1HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark26AK5712
Gama de produtosCoolSiC M1 Trench Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.163ohm
Drain Source On State Resistance0.163ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd85W
Power Dissipation85W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.163ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
85W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
On Resistance Rds(on)
0.163ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
85W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
