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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R010M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida24AM0465RL
Segmento de fita24AM0465
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
Seu número de peça
823 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 22.780 | $ 22.78 |
| Total Preço | $ 22.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 22.780 |
| 10+ | $ 16.350 |
| 25+ | $ 15.850 |
| 50+ | $ 15.360 |
| 100+ | $ 14.860 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R010M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida24AM0465RL
Segmento de fita24AM0465
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id158A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance9100µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation535W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
158A
Drain Source On State Resistance
9100µohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
535W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
