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IMBG40R011M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG40R011M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AM7804RL
Segmento de fita12AM7804
Gama de produtosCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 17.310 | $ 17.31 |
| Total Preço | $ 17.31 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.310 |
| 10+ | $ 12.250 |
| 25+ | $ 11.650 |
| 50+ | $ 11.060 |
| 100+ | $ 10.460 |
| 500+ | $ 10.450 |
| 1000+ | $ 9.770 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG40R011M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AM7804RL
Segmento de fita12AM7804
Gama de produtosCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id133A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0144ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IMBG40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 133A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
133A
Drain Source On State Resistance
0.0144ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
429W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto